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集成電路及電子元器件領域
物(化) 性失效分析 PFA
Decap 開封
Bare Die Extraction 取晶粒
De-layer/De-process 去層解剖
Staining-Rom Code 碼點染色
Staining-P/N 阱染色
Staining-Resistor zone 電阻染色
De-Gold Bump 去金凸塊
金相分析
精密定點及非定點研磨制樣 / 金相切片
顯微觀察分析（Lieca DM8000紫外干涉150X、Hitachi S4800 冷場發射電鏡+ EDS）
電性失效分析 EFA
EMMI 微光顯微檢查
LC Hot Spot 液晶熱點偵測
OBIRCH 鐳射光束誘發阻值變化測試
Probe Station 探針應用
FIB聚焦離子束應用
微線路修改
測試鍵生成
Cross-Section
VC
精密切割及加工
無損偵測
X-Ray + 3D CT（三維斷層掃描技術）
C-SAM 掃描超聲波
芯片逆向工程及工藝評估
成功的正向設計需要隨時更新已有設計思路，糾正設計缺陷。反向設計作為一種輔助工具，可以幫助電路設計工程師在短時間里積累足夠多的設計經驗并開發適合自身設計水平的工藝參數，有效規避風險、提高效率。也可幫助設計公司提升產品競爭力，或為保護自主產品知識產權提供有效證據。
靜電放電/閂鎖效應測試
ESD-HBM 人體模式
ESD-MM 機器放電模式
ESD-CDM 充電元器件模式
Latch-Up 閂鎖效應測試
材料分析
AES 俄歇電子能譜儀應用
AFM 原子力顯微鏡應用
EELS 電子能量損失分析儀應用
FT-IR 傅立葉紅外顯微鏡應用
SEM/EDS 掃描電子顯微鏡/X射線能譜儀應用
SIMS 二次離子能譜儀（特殊定點/非定點制樣、元素分析）
TEM 透射電鏡（定點/非定點制樣及上機觀察）
TOF-SIMS 飛行時間二次離子質譜應用
XPS X射線光電子能譜儀應用
可靠性測試
靜態環境可靠性測試…
動態環境可靠性試驗…
機械應力可靠性試驗…
高加速壽命試驗…
